性能

小檢測物體直徑(MOS)

不透明

φ14mm

φ30mm

光軸間距

10mm

20mm

光軸數(shù)

15～207光軸

8～124光軸

鏡頭規(guī)格

5.2 × 3.4(W×H) mm

φ7mm

保護高度

160～2,080mm

190～2,510mm

檢測距離

長

0.3～10.0m

0.3～20.0m

短

0.3～3.0m

0.3～7.0m

響應(yīng)時間

ON→OFF

標(biāo)準(zhǔn)模式：8～18ms *1 
速模式：16～36ms *1*2

OFF→ON

40～90ms *1

*1. 單體或連接時的響應(yīng)時間。 
　　　詳情請參閱樣本 
*2. 可通過設(shè)定工具進行選擇。

有效開口角 (EAA) 
(IEC 61496-2)

投光器、受光器的檢測距離均大于3m時±2.5°以下

光源

紅外LED(波長870nm)

電源接通后啟動時間

2s以下

電氣
規(guī)格

電源電壓(Vs)

SELV/PELV 24 VDC±20%(波動p-p10%以下)

消耗電流

詳情請參閱樣本

控制輸出(OSSD)

PNP或NPN晶體管2輸出(通過DIP-SW選擇PNP或NPN) 
負載電流300mA以下、 
剩余電壓2V以下(通過延長電纜的電壓降除外)、 
電容負載1μF以下、感性負載2.2H以下。*1 
漏電流1mA以下(PNP)、2mA以下(NPN) *2 

*1. 感性負載的值是控制輸出頻繁反復(fù)ON、OFF時的較大值。 
在4Hz以下使用控制輸出時，可使用的感性負載的值變大。 
*2. 以追加方式連接包含電容器等電容負載的元件時需要考慮的數(shù)值。

輔助輸出

PNP或NPN晶體管單通道輸出(通過DIP-SW選擇PNP或NPN) 
負載電流100mA以下、剩余電壓2V以下。

輸出動作模式

控制輸出

入光時ON

輔助輸出

屏蔽或通過輸出(出廠設(shè)定) (可通過設(shè)定工具進行選擇。)

輸入電壓

ON電壓

測試輸入： 
　24V有效：9V～Vs(漏電流3mA以下) * 
　0V有效：0～3V(源電流3mA以下) 
屏蔽輸入A/B： 
　PNP：Vs-3V～Vs(漏電流3mA以下) * 
　NPN：0～3V(源電流3mA以下) 
復(fù)位輸入： 
　PNP：Vs-3V～Vs(漏電流5mA以下) * 
　NPN：0～3V(源電流5mA以下)